标项一
    标项名称: 第一包 
    数量:  
    预算金额（元）：6000000
    简要规格描述或项目基本概况介绍、用途： 本项目计划采购电子束无掩膜直写光刻系统，该设备是支撑前沿科研与高水平人才培养的刚性需求。在微纳电子、量子器件、纳米光子学等领域，器件的特征尺寸不断逼近纳米乃至亚纳米尺度，已有的传统紫外光刻受衍射极限限制已难以满足加工精度要求，而电子束直写光刻能够实现亚10纳米以下的超高分辨率图形加工，是突破这一瓶颈的核心手段。高校科研研究课题方向多元、器件结构频繁调整、版图设计持续优化，传统依赖掩模版的光刻方式不仅制版周期长达数周、成本高，而且每一次设计修改都意味着重新制版，制约了研发效率。电子束无掩膜直写系统通过软件直接导入设计图形即可完成直写曝光，无需制作任何物理掩模版，将“设计—验证—优化”的迭代周期从数周压缩至数小时，此外，该系统能够兼容PMMA、HSQ等多种电子束光刻胶，并可与蒸发、溅射、刻蚀等工艺无缝衔接，构建完整的器件制备工艺链，一台设备即可支撑量子器件、超导结构、超构表面、光子晶体、MEMS传感器等多个差异化研究方向的微纳加工需求。采购该系统有望提升纳米器件微纳加工能力与器件设计水平，有助于开展量子科技、纳米光学等前沿领域研究。   
    备注：           

    标项二
    标项名称: 第二包 
    数量:  
    预算金额（元）：3900000
    简要规格描述或项目基本概况介绍、用途： 本项目拟采购一台氢化物气相外延（HVPE）设备，重点服务于超宽禁带氧化镓（β-Ga₂O₃）单晶薄膜的外延生长及工艺开发。设备需突破传统氮化物生长限制，具备优异的氧基气氛控制能力与高纯度气路系统，支持高质量、大厚度氧化镓外延层的制备；需实现反应室超高温的精确调控、常压/低压双模稳定运行及多路气体流量的毫升级精准配比，并集成原位监测系统以实时追踪高低温相变过程。供应商须提供从设备安装环境设计、设备运输、超高纯管路安装调试到氧化镓专用工艺开发的全方位技术支持，对操作人员进行系统性培训，并建立快速响应的售后维护机制，以保障设备在苛刻工艺条件下的长期稳定运行。   
    备注：