半导体激光治疗仪技术参数

1.技术需求：激光媒介：GaAlAs - 半导体；

2.输出波长：主波长808nm±10nm  辅助波长650nm±10nm；

3.输出模式：连续 或 间歇；

4.工作方式：双路输出，独立控制，非接触式，体表垂直照射；

5.激光器功率：  整机输出功率：单个面照治疗头：≥500mw×≥3（808激光）+≥5mw×≥80（650激光）≥1900mw，输出总功率：≥3800mw；

6.最大功率： 单个面照射治疗头：≥1000mw×≥3+≥10mw×≥80；单个激光器最大输出功率≥500mw，调节范围20-500mw，步进≤1mw，显示值于工作激光实际输出允差为±20%；

7.照射面积： 单个面照治疗头24cm±1cm×14cm±1cm 单个面照射面积：≥33600mm²；

8.激光管辐照面积(2cm一10cm):9cm²-60cm²；

9.激光器数量：单个面照治疗头激光管不少于83个，整机激光器总数量166个；

10.输出激光功率不稳定度st：优于±10%；输出激光功率复现性Rp：优于±10%；

11.噪    音：    治疗仪噪音≤60dB(A) ；

12.气缸液压支架： 全方位调节，全铝材质，高低升降；

13.折页角度：  治疗头水平转动角度≤3300，俯仰角度≤1800；定时功能: 1-90分钟