中科院半导体所拟采购的高温金属有机物化学气相淀积系统用于完成该单位“日盲紫外焦平面探测器”和“AlN冷阴极电子发射特性”等国家项目所必需的核心材料AlN和AlGaN的外延生长。项目研究所需最关键指标是最高生长温度1300℃以上。国内没有能满足需求的同类设备供应商，国际上也只有德国Aixtron公司能够设计和制造，因此只能采用单一来源方式采购该产品。

　　材料是器件的基础。高质量完成“日盲紫外焦平面探测器”和“AlN冷阴极电子发射特性”等国家项目的关键是高Al组分的AlGaN和AlN材料的制备。这些材料的生长必须采用高温金属有机物化学气相淀积系统，项目研究需要求该系统工作温度达到1300°C以上。目前，国内尚无法生产如此高工作温度温的同类设备，国外的生产厂商也只有德国爱思强一家。因此，只能采用单一来源方式进行采购。

　　中国科学院半导体研究所承担了“日盲紫外焦平面探测器”和“AlN冷阴极电子发射特性”等国家项目。项目研究需购置一套高温金属有机物化学气相沉积系统。该系统在项目研究中发挥关键的AlN和AlGaN材料外延生长功能。国内无法提供所需技术指标的同类设备，能满足所需技术指标要求的厂商只有德国AIXTRON公司，如：最高工作温度1300?C，误差?1?C。因此只能采用单一来源方式采购进口产品。

　　高温MOCVD（1300?C以上）是制备和生长高质量AlN和AlGaN所必需的设备。拟采购的高温金属有机物化学气相淀积系统用于中科院半导体所承担的“日盲紫外焦平面探测器”和“AlN冷阴极电子发射特性”等国家项目中最重要的材料（AlN和AlGaN）生长研究工作。由于AlN和AlGaN材料的特殊的物理性质，必须采用温度超过1300℃的高温金属有机物化学气相淀积系统才能实现高质量生长。该类设备国内无法生产，国际上也只有德国AIXTRON公司有能力设计制造，并正在生产。因此只能采用单一来源的方式购买。

　　拟采购的高温金属有机物化学气相沉积系统的采购程序符合法律相关规定，只能采用单一来源方式采购进口产品。